Loading...
- Type of Document: M.Sc. Thesis
- Language: Farsi
- Document No: 52551 (05)
- University: Sharif University of Technology
- Department: Electrical Engineering
- Advisor(s): Rashidian, Bijan
- Abstract:
- Various applications of nanostructures in electronics, optoelectronics, MEMS, photonics and plasmonic make their fabrication an interesting research topic recently. Progress in nanotechnology depends on the capability to fabricate, position and interconnect nanometer-scale structures. The development of fabrication devices with nanoscales is mainly dependent on the existence of a suitable nanolithography approach. Patterning materials with nanoscale features aimed at improving integration and device performance faced several challenges. The limitation of conventional lithography systems including resolution related issues, operational costs and lack of flexibility to pattern organic and novel materials have motivated the development of unconventional fabrication methods. Scanning Probe Lithography (SPL), a promising alternative type of lithography for academic research, combines nanoscale feature-size, low technological requirements and the ability to fabricate soft, organic and novel materials. There are different types of SPL which can be categorized with term of the driving mechanisms used in patterning, including thermal, electrical, and mechanical. The similarity between different types of SPL is using a sharp probe to interact with the surface. The resolution of these systems is mainly limited by the shape and size of the probe. Because of that, different probes and fabrication methods have been provided.In this project, different types of tips including Tungsten tips and Silicon tips, compatible with a scratching nanolithography system, are fabricated and the scratching nanolithography system is implemented. To control the distance between the tip and the sample two different mechanisms are used. One is controlling the distance using tunneling current between the tip and sample called STM lithography and the other is controlling the distance by measuring the Sher-Fore between the tip and the sample called AFM lithography
- Keywords:
- Nanomachines ; Scanning Probe Lithography ; Atomic Force Microscopy (AFM) ; Scanning Probe Microscopy ; Tungsten Tip Fabrication ; Silicon Tip Fabrication ; Scratching Nanolithography
-
محتواي کتاب
- view
- چکیده
- فهرست جدولها
- فهرست تصویرها
- فصل1 : مقدمه
- فصل2 لیتوگرافی
- فصل2 لیتوگرافی
- فصل2 لیتوگرافی
- 2-1 لیتوگرافی نوری
- 2-1-1 آماده سازی زیرلایه
- 2-1-2 لایه نشانی فتورزیست
- 2-1-3 پخت اولیه
- 2-1-4 هم تراز کردن و تابش
- 2-1-5 پخت پس از تابش
- 2-1-6 آشکارسازی
- 2-1-7 پخت نهایی
- 2-1-8 اندازهگیری و بازرسی کردن
- 2-1-9 منتقل کردن الگو
- 2-1-10 زدایش کلی فتورزیست
- 2-2 لیتوگرافی بیم الکترونی
- 2-3 لیتوگرافی پروب روبشی
- 2-3-1 اساس کار STM
- 2-3-2 اساس کار AFM
- 2-3-3 اساس کار SNOM
- 2-3-4 لیتوگرافی پروب روبشی حرارتی و حرارتی- شیمیایی
- 2-3-4-1 الگودهی حلقه بسته با امکان کنترل عمق
- 2-3-5 لیتوگرافی پروب روبشی با بایاس
- 2-3-6 لیتوگرافی پروب روبشی اکسایشی
- 2-3-7 لیتوگرافی پروب روبشی مکانیکی
- 2-3-8 لیتوگرافی پروب روبشی Dip-pen
- 2-1 لیتوگرافی نوری
- فصل3 بررسی انواع تیپهای مورد استفاده در لیتوگرافی پروب روبشی
- 3-1 تیپ مورد استفاده در STM
- 3-1-1 ساخت تیپ STM به روش زدایش الکتروشیمیایی
- 3-2 تیپ مورد استفاده در AFM
- 3-2-1 روش ساخت تیپ و تیرک سیلیکونی
- 3-2-2 روش ساخت تیپ و تیرک سیلیکون نیترید
- 3-2-3 روشهای دیگر ساخت تیپ AFM
- 3-3 تیپهای مورد استفاده در SNOM
- 3-3-1 روش ساخت تیپ روزنه دار با فیبر
- 3-3-2 روش ساخت نیپ و تیرک سیلیکونی روزنه دار
- 3-3-3 روش ساخت تیپ بدون روزنه
- 3-1 تیپ مورد استفاده در STM
- فصل4 ساخت انواع تیپها
- 4-1 ساخت تیپ تنگستنی
- 4-1-1 مدار کنترلی ساخته شده برای زدایش الکتروشیمیایی
- 4-1-2 ساختار پباده سازی شده
- 4-1-3 کنترل پروفایل تیپ ساخته شده
- 4-1-4 ساختار اپتیکی برای مشخصه یابی دستگاه موقعیت دهی نانومتری
- 4-1-5 ساختار پیادهسازی شده برای کنترل پروفایل تیپ
- 4-2 ساخت تیپ سیلیکونی
- 4-3 ساخت زیرساخت مناسب برای رشد CNT
- 4-1 ساخت تیپ تنگستنی
- فصل5 پیادهسازی سیستم نانولیتوگرافی
- 5-1 سیستم لیتوگرافی تونلی روبشی پیادهسازی شده
- 5-1-1 ساخت تیپ مورد نیاز
- 5-1-2 آمادهسازی زیرلایه
- 5-1-3 ساختار پیادهسازی شده برای سیستم لیتوگرافی تونلی روبشی
- 5-2 سیستم لیتوگرافی نیروی اتمی پیادهسازی شده
- 5-2-1 نیروی برشی
- 5-2-2 مکانیزم تعیین فاصله بین تیپ و نمونه با استفاده از QTF
- 5-2-3 چسباندن تیپ به QTF
- 5-2-4 آماده سازی زیرلایه
- 5-2-5 ساختار پیادهسازی شده برای لیتوگرافی نیروی اتمی
- 5-2-6 انجام پروسهی خراش دادن با سیستم پیاده سازی شده
- 5-1 سیستم لیتوگرافی تونلی روبشی پیادهسازی شده
- فصل6 نتیجه گیری و پیشنهادات برای پژوهشهای آتی
- مراجع
