Sharif Digital Repository / Sharif University of Technology
    • [Zoom In]
    • [Zoom Out]
  • Page 
    		 of  0
  • [Previous Page]
  • [Next Page]
  • [Fullscreen view]
  • [Close]
 
بررسی اثر رتبه در رفتار معاملاتی صندوق های سرمایه گذاری مشترک ایران
جعفری، احسان Jafari, Ehsan

Cataloging brief

بررسی اثر رتبه در رفتار معاملاتی صندوق های سرمایه گذاری مشترک ایران
پدیدآور اصلی :   جعفری، احسان Jafari, Ehsan
ناشر :   صنعتی شریف
سال انتشار  :   1400
موضوع ها :   مالی رفتاری Behavioral Finance سوگیری رفتاری Behavioral Bias صندوق سرمایه گذاری Mutual...
شماره راهنما :   ‭44-54825

Find in content

sort by

Bookmark

  • مقدمه (19)
    • اساس کار منابع تغذیه پالسی (23)
    • منابع تغذیه پالسی مبتنی بر ترانسفورماتور‌‌ (24)
    • منابع تغذیه پالسی مبتنی بر مولد مارکس (27)
    • منابع تغذیه پالسی مبتنی بر کلید‌های نیمه‌هادی (29)
    • تعریف مسئله (33)
    • روش های متعادل‌سازی ولتاژ کلید‌های IGBT در ساختار سری (37)
      • روش‌ کنترل مستقیم ولتاژ (38)
      • روش فعال گیرش ولتاژ (39)
      • روش تنظیم تاخیر بین فرمان‌های گیت (40)
    • مدار فرمان گیت همزمان و ساختار‌های رایج‌ آن (40)
      • فرمان کلید‌ها به کمک تزویج خازنی (41)
      • فرمان کلید‌ها به روش تزویج مغناطیسی (42)
      • فرمان کلید‌ها به روش تزویج مغناطیسی بهبود یافته (43)
  • مروری بر ادبیات خرابی در کلید‌های IGBT (45)
    • مروری بر مشخصات اساسی کلید‌های IGBT (49)
    • مکانیزم‌های خرابی و روش‌های پیش‌دانی آن‌ها در کلید‌های IGBT (51)
      • جدا شدن سیم‌باند (52)
      • ترک خوردگی پاشنه سیم باند (55)
      • خرابی در گیت راه‌انداز کلید در ساختار کلید‌های سری (57)
      • خرابی ناشی از Latch-up (58)
      • خرابی ناشی از اضافه ولتاژ (59)
      • دومین شکست (60)
      • خرابی‌ ناشی از شوک‌های انرژی (60)
      • خرابی تراشه کلید ناشی از پیری در لایه‌ی گیت-اُوکساید (61)
  • شرح مسئله و روش‌ پیشنهادی اول (66)
    • خرابی مدار باز در ساختار کلید‌های سری IGBT به همراه اسنابر‌های حفاظت ولتاژ آن‌ها (68)
    • نحوی ایجاد پالس ولتاژ بالا به روش کلید‌های سری (69)
      • زیر بازه‌ی روشن بودن کلید‌ها t = tpw (69)
      • زیر بازه‌ی خاموشی کلید‌ها (Ts - tpw) (72)
    • مشخصه الکتریکی iCE-vCE کلید‌ها پس از خرابی اتصال کوتاه (72)
      • مشخصه‌ی الکتریکی کلید‌های IKQ75N120CT2 (76)
      • مشخصه‌ی الکتریکی کلید‌های IKW40N120T2 و IKW25N120H3 (77)
    • اهمیت تشخیص خرابی اتصال کوتاه در کلید‌های سری (80)
    • راهکار اول تشخیص خرابی اتصال کوتاه در کلید‌های سری (83)
    • نتایج تست‌های عملی روش اول برای تشخیص خرابی اتصال کوتاه در کلید‌های IGBT سری (87)
  • اصول کارکرد و شبیه‌سازی روش دوم سیستم تشخیص خرابی کلید‌های سری (92)
    • نقش دیود‌های TVS موازی با هر کلید در تشخیص خرابی اتصال کوتاه (92)
      • مدار معادل سامانه تولید پالس پس از افزایش ولتاژ کالکتور-امیتر هر کلید فراتر از ولتاژ شکست معکوس TVS ها (93)
    • راهکار دوم و اصلی تشخیص خرابی اتصال کوتاه پس از خرابی در کلید‌های سری (94)
    • تحلیل خرابی‌ها (99)
      • گیت راه‌انداز سیستم تشخیص خرابی به روش دوم (103)
  • جمع‌بندی و پیشنهادات (106)
Loading...