Sharif Digital Repository / Sharif University of Technology
    • [Zoom In]
    • [Zoom Out]
  • Page 
    		 of  0
  • [Previous Page]
  • [Next Page]
  • [Fullscreen view]
  • [Close]
 
اصلاح پراکندگی و تضعیف در تصاویر کل بدن توموگرافی تابش پوزیترون با استفاده از شبکه های عصبی
عادلی، زهرا Adeli, Zahra

Cataloging brief

اصلاح پراکندگی و تضعیف در تصاویر کل بدن توموگرافی تابش پوزیترون با استفاده از شبکه های عصبی
پدیدآور اصلی :   عادلی، زهرا Adeli, Zahra
ناشر :   صنعتی شریف
سال انتشار  :   1403
موضوع ها :   برش نگاری با نشر پوزیترون Positron Emission Tomography (PET) تصحیح تضعیف Attenuation...
شماره راهنما :   ‭46-57903

Find in content

sort by

Bookmark

  • مقدمه (19)
    • اساس کار منابع تغذیه پالسی (23)
    • منابع تغذیه پالسی مبتنی بر ترانسفورماتور‌‌ (24)
    • منابع تغذیه پالسی مبتنی بر مولد مارکس (27)
    • منابع تغذیه پالسی مبتنی بر کلید‌های نیمه‌هادی (29)
    • تعریف مسئله (33)
    • روش های متعادل‌سازی ولتاژ کلید‌های IGBT در ساختار سری (37)
      • روش‌ کنترل مستقیم ولتاژ (38)
      • روش فعال گیرش ولتاژ (39)
      • روش تنظیم تاخیر بین فرمان‌های گیت (40)
    • مدار فرمان گیت همزمان و ساختار‌های رایج‌ آن (40)
      • فرمان کلید‌ها به کمک تزویج خازنی (41)
      • فرمان کلید‌ها به روش تزویج مغناطیسی (42)
      • فرمان کلید‌ها به روش تزویج مغناطیسی بهبود یافته (43)
  • مروری بر ادبیات خرابی در کلید‌های IGBT (45)
    • مروری بر مشخصات اساسی کلید‌های IGBT (49)
    • مکانیزم‌های خرابی و روش‌های پیش‌دانی آن‌ها در کلید‌های IGBT (51)
      • جدا شدن سیم‌باند (52)
      • ترک خوردگی پاشنه سیم باند (55)
      • خرابی در گیت راه‌انداز کلید در ساختار کلید‌های سری (57)
      • خرابی ناشی از Latch-up (58)
      • خرابی ناشی از اضافه ولتاژ (59)
      • دومین شکست (60)
      • خرابی‌ ناشی از شوک‌های انرژی (60)
      • خرابی تراشه کلید ناشی از پیری در لایه‌ی گیت-اُوکساید (61)
  • شرح مسئله و روش‌ پیشنهادی اول (66)
    • خرابی مدار باز در ساختار کلید‌های سری IGBT به همراه اسنابر‌های حفاظت ولتاژ آن‌ها (68)
    • نحوی ایجاد پالس ولتاژ بالا به روش کلید‌های سری (69)
      • زیر بازه‌ی روشن بودن کلید‌ها t = tpw (69)
      • زیر بازه‌ی خاموشی کلید‌ها (Ts - tpw) (72)
    • مشخصه الکتریکی iCE-vCE کلید‌ها پس از خرابی اتصال کوتاه (72)
      • مشخصه‌ی الکتریکی کلید‌های IKQ75N120CT2 (76)
      • مشخصه‌ی الکتریکی کلید‌های IKW40N120T2 و IKW25N120H3 (77)
    • اهمیت تشخیص خرابی اتصال کوتاه در کلید‌های سری (80)
    • راهکار اول تشخیص خرابی اتصال کوتاه در کلید‌های سری (83)
    • نتایج تست‌های عملی روش اول برای تشخیص خرابی اتصال کوتاه در کلید‌های IGBT سری (87)
  • اصول کارکرد و شبیه‌سازی روش دوم سیستم تشخیص خرابی کلید‌های سری (92)
    • نقش دیود‌های TVS موازی با هر کلید در تشخیص خرابی اتصال کوتاه (92)
      • مدار معادل سامانه تولید پالس پس از افزایش ولتاژ کالکتور-امیتر هر کلید فراتر از ولتاژ شکست معکوس TVS ها (93)
    • راهکار دوم و اصلی تشخیص خرابی اتصال کوتاه پس از خرابی در کلید‌های سری (94)
    • تحلیل خرابی‌ها (99)
      • گیت راه‌انداز سیستم تشخیص خرابی به روش دوم (103)
  • جمع‌بندی و پیشنهادات (106)
Loading...